SiC概念株漢磊が57.7元に急上昇 背後にある技術突破は株価の熱狂を支えられるか？

最近半導體板塊最火的話題，非漢磊莫屬。這檔股票的表現堪稱驚人——8日盤中再度拉出漲停，股價衝上57.7元，創下去年11月以來新高。更誇張的是，短短四個交易日就有三日漲停，單月漲幅超過25%，完全成了市場追捧的對象。

技術突破点燃SiC概念股的漲停引擎

漢磊股價炸裂背後有具體的催化劑。公司宣布碳化矽（SiC）第四代MOSFET製程平台（G4）實現技術突破，總經理劉燦文表示，新技術在晶片尺寸上縮小20%，導通電阻也降低20%，已達「國際大廠水準」。

更吸引市場注意力的是，有消息指英偉達在新一代GPU中可能採用SiC材料。一旦漢磊成為供應鏈成員，這對其未來業績的想像空間無限大。外資與自營商聞風而動，聯手買進推升SiC概念股，股價輕鬆站上所有均線，成為資金角逐的戰場。

漲停背后的投機真相：當衝成交比破七成

不过，技术光环并未阻止投机者的入场。5日的走势堪称戏剧化——早盘股价一度冲高至56.5元、大涨4.24%，却遭遇强劲卖压急速翻黑，终场反而下跌3.14%，收在52.5元。

更值得关注的是当日的成交结构：现股当冲成交量高达50,285张，当冲比率竟突破71%。这意味着绝大多数交易者都在进行短线搏杀，SiC概念股汉磊早已沦为投机筹码，股价涨跌不再反映基本面，而是市场情绪的直接映射。

虧损七季的经营现实：故事与业绩的致命距离

然而，掀开漂亮的技术故事，汉磊的经营状况却不那么乐观。财报数据显示公司已连续七季亏损，今年上半年每股亏损1.02元。虽然7月营收有所起色，但前七个月累计营收仍较去年同期下滑7.9%。

这组数据的含义很明确：当前SiC概念股的涨势更多源自「想像」而非「现实」。技术突破距离实现商业化还还有一段距离，而短期股价的飙升完全建立在未来预期之上。

投资提醒：警惕科技故事下的泡沫风险

对普通投资者来说，汉磊的故事确实吸引人，但面对基本面与股价的巨大落差，还是应该保持理性。技术创新从实验室走向商用化需要时间，短线资金的热情往往昙花一现。

SiC概念股的狂欢，最终往往只留下一地鸡毛。在追逐热点时，别忘了检视风险。