Samsung tăng giá mạnh bộ nhớ 20%! UBS nâng dự báo giá: DRAM quý 3 tăng 32% theo quý, NAND tăng 30%!

Truyền thông Hàn Quốc đưa tin, Samsung Electronics đang tiến hành đàm phán giá Q3 với khách hàng, mục tiêu tăng giá trung bình (ASP) của DRAM thông dụng lên tới 20%, và LPDDR do cung cầu xuất hiện "nút thắt nghiêm trọng", mức tăng có thể vượt 20%. Cùng lúc đó, báo cáo mới nhất của UBS đã nâng dự báo giá DRAM, NAND, dự đoán DRAM Q3 tăng 32% so với quý trước, NAND cùng quý tăng 30%. Trong khi đó, xu hướng định giá của SK hynix tương đối ổn định.
(Tóm tắt trước: Samsung truyền tin Q3 DRAM lại tăng 20%! Một năm tăng ba lần, AI chèn ép năng suất lan sang điện thoại, PC)
(Bổ sung bối cảnh: Samsung công bố tỷ lệ đạt yêu cầu HBM vượt 70%! CTO Song Jae-hyuk tuyên bố DRAM thế hệ mới vượt qua, đuổi kịp SK hynix)

Mục lục

Chuyển đổi

• Samsung Q3 thái độ tăng giá cứng rắn, LPDDR xuất hiện nút thắt nghiêm trọng
• SK hynix ổn định: HBM hợp đồng dài hạn bảo vệ, biến động định giá nhỏ
• Tỷ trọng DRAM thông dụng cao, Samsung tăng mạnh hơn
• UBS nâng dự báo giá DRAM, NAND
• Cấu trúc cung cầu bộ nhớ AI: Xu hướng tăng giá có thể kéo dài đến năm 2027

Báo Hàn Quốc ZDNET trích dẫn thông tin trong ngành, nhà sản xuất bộ nhớ lớn Hàn Quốc Samsung Electronics đang tiến hành đàm phán giá quý 3 với khách hàng, mục tiêu tăng giá trung bình (ASP) của DRAM thông dụng so với quý trước lên tới 20%. Trước đó, mức tăng giá trung bình DRAM so với quý trước của Samsung trong Q1, Q2 đã lần lượt lên tới 90%, 50~60%, ba quý tăng liên tiếp phản ánh sự mất cân bằng cấu trúc do AI chèn ép năng suất bộ nhớ truyền thống.

Samsung Q3 thái độ tăng giá cứng rắn, LPDDR xuất hiện nút thắt nghiêm trọng

Giới chức ngành bán dẫn tiết lộ, Samsung Electronics đã thể hiện thái độ cực kỳ cứng rắn trong đàm phán giá Q3. Đối với LPDDR (bộ nhớ tốc độ dữ liệu kép công suất thấp) gần đây xuất hiện "nút thắt nghiêm trọng" ở cả máy chủ và thiết bị di động, Samsung cũng chuẩn bị tăng giá trên 20%. Tuy nhiên, hiện vẫn chưa thể chắc chắn liệu khách hàng có chấp nhận toàn bộ hay không — các nhà sản xuất cuối có thể dùng việc giảm số lượng đơn hàng hoặc chuyển sang nhà cung cấp khác làm đòn bẩy đàm phán.

SK hynix ổn định: HBM hợp đồng dài hạn bảo vệ, biến động định giá nhỏ

Đáng chú ý, xu hướng định giá của đối thủ cạnh tranh SK hynix hiện tương đối ổn định. Một phần nguyên nhân là công ty này phụ thuộc nhiều hơn vào bộ nhớ băng thông cao (HBM) mà AI cần, và các sản phẩm này chủ yếu dưới dạng hợp đồng dài hạn (LTA), giá hợp đồng cố định khó bị ảnh hưởng bởi biến động thị trường ngắn hạn. Đồng thời, SK hynix sắp niêm yết tại Mỹ, thị trường kỳ vọng khả năng mở rộng vốn sẽ kéo dài khoảng cách với Samsung trong lĩnh vực HBM.

Tỷ trọng DRAM thông dụng cao, Samsung tăng mạnh hơn

Giới trong ngành đánh giá, lý do xu hướng tăng giá trung bình DRAM của Samsung Electronics rõ rệt hơn SK hynix là do tỷ trọng DRAM thông dụng có biến động giá lớn trong tổng sản lượng của Samsung cao hơn, và Samsung thể hiện tích cực nhất trong việc tăng giá. Các chuyên gia trong ngành phân tích, thị phần DRAM thông dụng của Samsung vẫn đứng đầu toàn cầu, giúp họ có sức mạnh chi phối hơn trong không gian đàm phán giá.

UBS nâng dự báo giá DRAM, NAND

Ngân hàng UBS gần đây cũng nâng dự báo giá DRAM và bộ nhớ flash NAND. Công ty chứng khoán này dự đoán, giá DRAM dự kiến sẽ tăng lần lượt 32% và 18% theo quý trong Q3 và Q4; giá NAND dự kiến sẽ tăng 30% và 12% theo quý trong Q3 và Q4. Dự báo này cao hơn nhiều so với đồng thuận trung bình của thị trường, cho thấy Phố Wall duy trì sự lạc quan cao độ về chu kỳ siêu cấp của bộ nhớ do AI thúc đẩy.

Cấu trúc cung cầu bộ nhớ AI: Xu hướng tăng giá có thể kéo dài đến năm 2027

Giới trong ngành thường cho rằng động lực cốt lõi của đợt tăng giá bộ nhớ này đến từ AI. Ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn (Samsung, SK hynix, Micron) đã chuyển khoảng 93% năng suất sang sản xuất HBM, nguồn cung DRAM truyền thống bị chèn ép đáng kể. Và mỗi 1 bit HBM cần tiêu tốn năng suất wafer gấp khoảng ba lần DDR5, năng suất mới chỉ có thể được giải phóng sớm nhất vào năm 2027. Dưới áp lực kép của nguồn cung thắt chặt và nhu cầu tiếp tục mở rộng, giá bộ nhớ vẫn có dư địa tăng trong trung và dài hạn.