三星强涨内存 20%！瑞银上修报价：DRAM Q3 季增 32%、NAND 涨 30%！

韩媒传出，三星电子正与客户进行 Q3 价格谈判，目标将通用型 DRAM 均价（ASP）上调最多 20%，且 LPDDR 因供需出现“严重瓶颈”，涨幅有望超过 20%。与此同时，瑞银（UBS）最新报告调高 DRAM、NAND 报价预估，预测 DRAM Q3 季增 32%、NAND 同季涨 30%。相较之下，SK 海力士的定价趋势相对平稳。
（前情提要：三星传出 Q3 DRAM 再涨 20%！一年涨三次，AI 排挤产能烧向手机、PC）
（背景补充：三星宣布 HBM 良率冲破 70%！CTO 宋在赫喊次世代 DRAM 反超，猛追 SK 海力士）

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• 三星 Q3 涨价态度强硬，LPDDR 出现严重瓶颈
• SK 海力士走稳：HBM 长约护体，定价波动较小
• 通用型 DRAM 比重高，三星涨势更猛
• 瑞银上调 DRAM、NAND 报价预估
• AI 内存供需结构：涨价趋势可能延续至 2027 年

韩媒《韩国 ZDNET》引述业界消息报道，韩国内存大厂三星电子（Samsung Electronics）正在与客户进行第三季价格谈判，目标将通用型 DRAM 均价（ASP）较上季提高最多 20%。在此之前，三星 Q1、Q2 的 DRAM 均价季增幅已分别高达 90%、50~60%，连续三季涨价反映 AI 排挤传统内存产能的结构性失衡。

三星 Q3 涨价态度强硬，LPDDR 出现严重瓶颈

半导体业界人士透露，三星电子在 Q3 的价格谈判中展现出极为强硬的态度。对于近期在服务器和移动端皆出现“严重瓶颈”的 LPDDR（低功耗双倍数据速率内存），三星也准备将价格调涨 20% 以上。不过目前仍无法确定客户是否会全部接受——终端厂商可能以减少订单量或转向其他供应商作为谈判筹码。

SK 海力士走稳：HBM 长约护体，定价波动较小

值得注意的是，竞争对手 SK 海力士（SK hynix）的订价趋势目前相对稳定。部分原因在于该公司更依赖 AI 所需的高带宽内存（HBM），而这些产品多以长期合约（LTA）为主，合约锁定价格不易受到短期市场波动影响。同时 SK 海力士即将赴美上市，市场预期其资本扩张能力将进一步拉开与三星在 HBM 领域的差距。

通用型 DRAM 比重高，三星涨势更猛

业界评估，三星电子的 DRAM 均价涨势之所以比 SK 海力士更为显著，主因是价格波动较大的通用型 DRAM 在三星总产量中占比更高，且三星在提高价格方面表现得最为积极。业界人士分析，三星在通用型 DRAM 的市占率仍居全球首位，使其在议价空间上更具主导力。

瑞银上调 DRAM、NAND 报价预估

瑞士银行（UBS）近日也调高了 DRAM 及 NAND 型快闪记忆体的报价预估。该证券预测，DRAM 报价料将在 Q3、Q4 分别季增 32%、18%；NAND 报价料将在 Q3、Q4 各季增 30%、12%。这项预测远高于市场平均共识，显示华尔街对 AI 带动的内存超级周期仍维持高度乐观。

AI 内存供需结构：涨价趋势可能延续至 2027 年

业界普遍认为，这波内存涨价的根本驱动力来自 AI。三大内存厂（三星、SK 海力士、美光）已将约 93% 的产能转向 HBM 生产，传统 DRAM 供给被大幅排挤。而每生产 1 位元 HBM 需要消耗比 DDR5 多约三倍的晶圆产能，新增产能最快 2027 年才会放量。在供给紧缩与需求持续扩张的双重压力下，内存价格中长期仍具上行空间。