ستُنشر سامسونغ عملية 2nm لذاكرة HBM5 للذكاء الاصطناعي، أسرع بنسبة 50% من HBM4E

بحسب «تشوسون ديلي»، في 27 يوليو أعلنت شركة سامسونج إلكترونكس خططاً لاعتماد عملية 2 نانومتر في القالب الأساسي لذاكرة الجيل الثامن عالية النطاق (HBM5). وقالت الشركة إن HBM5 ستعالج البيانات بسرعة تزيد على 50% مقارنةً برقائق HBM4E الحالية، وذلك باستخدام قالب أساسي بتقنية 2nm Gate-All-Around، مع تحسينات في الوصلات عبر السيليكون (TSVs) لتعزيز السرعة وكفاءة استهلاك الطاقة.
إخلاء المسؤولية: قد تكون المعلومات الواردة في هذه الصفحة مستمدة من مصادر خارجية وهي للمرجعية فقط. لا تمثل هذه المعلومات آراء أو وجهات نظر Gate ولا تشكل أي نصيحة مالية أو استثمارية أو قانونية. ينطوي تداول الأصول الافتراضية على مخاطر عالية. يرجى عدم الاعتماد حصرياً على المعلومات الواردة في هذه الصفحة عند اتخاذ القرارات. لمزيد من التفاصيل، يرجى الرجوع على إخلاء المسؤولية.
تعليق
0/400
لا توجد تعليقات