El Roundhill Memory ETF se dispara un 8% en 5 días, con una subida de más del 110% desde su lanzamiento en abril, en medio de la demanda impulsada por la IA

DRAM-9,38%
MU-7,95%
SK Hynix-8,33%
SKHY-9,09%
SKHYV-0,98%

Roundhill Memory ETF (DRAM-US), que se centra en la industria global de chips de memoria, incluidos DRAM, memoria de alto ancho de banda (HBM), NAND flash y fabricantes de SSD, subió más de 8% en los últimos 5 días de trading, impulsado por el aumento de la demanda de servidores para IA y la solidez de sus principales participaciones, como Micron (MU-US) y SK Hynix. Desde su lanzamiento en abril de 2026, el fondo ha aumentado más de 110%, lo que lo convierte en uno de los ETF temáticos más destacados de la racha alcista de la infraestructura de IA.

El ETF mantiene una cartera concentrada de solo 16 acciones, con aproximadamente 230,3 mil millones de dólares en activos bajo gestión y un ratio de gastos del 0,65%. Entre las principales participaciones se encuentran Micron, SK Hynix, SanDisk (SNDK-US), Samsung Electronics, Seagate Technology (STX-US) y Western Digital (WDC-US). La fortaleza reciente del fondo refleja una demanda sostenida de chips de memoria, a medida que las empresas tecnológicas aceleran la expansión de centros de datos para IA y el desarrollo de modelos de IA continúa acelerándose.

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