Tower Semiconductor invertirá 3 mil millones de dólares en Japón para ampliar su capacidad de chips de IA, respaldado por 1 mil millones de dólares en apoyo gubernamental

De acuerdo con Calcalist, Tower Semiconductor anunció el 14 de julio una inversión de 3.000 millones de dólares en Japón, respaldada por aproximadamente 1.000 millones de dólares en subvenciones gubernamentales, para ampliar la capacidad de silicio fotónico de 300 mm, silicio germanio y embalaje óptico avanzado para aplicaciones de IA y centros de datos. El fabricante de chips israelí convertirá su instalación de Arai (antes Fab 6) en un centro de producción para silicio fotónico de 300 mm y embalaje avanzado, al tiempo que incrementará la producción en Fab 7 en Uozu. Tower prevé estar listo para la producción completa para el cuarto trimestre de 2027.
Aviso legal: La información en esta página puede provenir de fuentes de terceros y es solo para referencia. No representa las opiniones ni puntos de vista de Gate y no constituye asesoramiento financiero, de inversión ni legal. El comercio de activos virtuales implica un alto riesgo. No te bases únicamente en la información presentada en esta página para tomar decisiones. Para más detalles, consulta el Aviso legal.
Comentar
0/400
Sin comentarios