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Pourquoi Goldman Sachs parie-t-elle sur une hausse de 44 % supplémentaire du HBM l’année prochaine ?

Pourquoi Goldman Sachs parie-t-elle sur une hausse de 44 % supplémentaire du HBM l’année prochaine ?

L’enquête de sentiment DRAM de Goldman Sachs pour le mois de juin reste modérément positive. La société a nettement relevé sa prévision de croissance des prix du HBM de Samsung pour 2027, passant de 14 % à 44 %, et souligne qu’il existe encore un potentiel de hausse supplémentaire.

Blog Team01/07/2026

HBM vs DRAM : pourquoi les grands modèles d’IA en dépendent-ils ? Comment les puces mémoire évoluent de « l’ère planaire » à la « révolution 3D »

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Cet article examine la révolution des puces de stockage sous trois angles : l’architecture technique, l’efficacité de la bande passante et la dynamique du marché. Il présente également les stratégies d’investissement portées par la montée en puissance de l’intelligence artificielle, tout en proposant un guide complet pour négocier des actions de puces de stockage s

Blog Team30/06/2026

Stratégie d’investissement dans les semi-conducteurs après les résultats de Micron : comment choisir entre HBM, DRAM et NAND ?

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Cet article analyse la logique de configuration et les limites de risque de trois types de puces mémoire : HBM, DRAM et NAND.

Blog Team25/06/2026

Micron (MU) : test des résultats après une hausse de 11 fois – le supercycle de la mémoire IA peut-il soutenir la valorisation ?

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Cet article examine la viabilité du cycle de stockage lié à l’IA selon trois axes principaux : la dynamique de l’offre et de la demande pour la HBM, les tendances tarifaires du DRAM et du NAND, ainsi que les perspectives pour le quatrième trimestre.

Blog Team24/06/2026

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Comment l’IA redéfinit-elle le paysage des puces de stockage ? Le marché de la DRAM entame un nouveau cycle structurel « piloté par le calcul »

Comment l’IA redéfinit-elle le paysage des puces de stockage ? Le marché de la DRAM entame un nouveau cycle structurel « piloté par le calcul »

Divergence structurelle dans le cycle de la mémoire des semi-conducteurs pour 2026 : logiques et perspectives d’investissement

Blog Team22/06/2026

Micron (MU) : le titre s’envole de 260 % en un an — la demande croissante de DRAM pour serveurs d’IA peut-elle maintenir la dynamique ?

Micron (MU) : le titre s’envole de 260 % en un an — la demande croissante de DRAM pour serveurs d’IA peut-elle maintenir la dynamique ?

Deutsche Bank relève lobjectif de cours de Micron à 1 500 $ : le titre MU senvole de 260 %, frôlant ses sommets historiques. Analyse des pénuries de DRAM, de la demande explosive pour la HBM et des facteurs à l’origine du supercycle dans l’industrie du stockage.

Blog Team18/06/2026

Pourquoi le premier ETF 100 % DRAM a-t-il bondi de près de 150 % cette année ?

Pourquoi le premier ETF 100 % DRAM a-t-il bondi de près de 150 % cette année ?

Depuis son lancement, le Memory ETF DRAM a enregistré une hausse de près de 150 %, atteignant un nouveau sommet historique. Cet article analyse la pénurie de DRAM provoquée par l’IA, la concentration des avoirs du fonds et la logique structurelle sous-jacente.

Blog Team02/06/2026

Signaux contre-intuitifs dans le supercycle de la mémoire IA de Samsung : pourquoi la DRAM est plus rentable que la HBM

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Cet article analyse les mécanismes de tarification, les effets de tension sur la capacité et la logique réelle derrière le supercycle qui alimentent ce phénomène atypique.

Blog Team28/05/2026

SK Hynix dépasse les 1 000 milliards de dollars de capitalisation : qui saura saisir la prochaine vague de capitaux ?

SK Hynix dépasse les 1 000 milliards de dollars de capitalisation : qui saura saisir la prochaine vague de capitaux ?

La capitalisation boursière de SK Hynix dépasse 1 000 milliards de dollars, portée par l’IA qui amorce un supercycle du stockage. Analyse approfondie des flux de capitaux de l’IA vers la DRAM et la NAND, révélant des opportunités structurelles dans le secteur du stockage crypto.

Blog Team27/05/2026