Samsung Electronics et SK Hynix chutent de 6,5 % le 25 juillet, dans un contexte d’inquiétudes concernant le marché des puces

2026-07-26 01:01:36

D’après la bourse sud-coréenne, Samsung Electronics et SK Hynix ont fortement chuté le 25 juillet. Samsung a reculé de 6,48 %, à 252 500 won coréens, tandis que SK Hynix a baissé de 6,67 %, à 1 791 000 won. Cette forte pression à la vente a été alimentée par plusieurs facteurs, notamment la hausse des prix du pétrole brut et des taux d’intérêt, l’évolution du sentiment des investisseurs étrangers, ainsi que les inquiétudes du marché concernant la baisse des prix moyens de vente des puces NAND et des perspectives de demande jugées faibles pour l’année prochaine.

Afficher la source

Avertissement : Les informations figurant sur cette page peuvent provenir de sources tierces et sont fournies à titre indicatif uniquement. Elles ne reflètent pas les points de vue ou opinions de Gate et ne constituent pas un conseil financier, d’investissement ou juridique. Le trading des actifs virtuels comporte des risques élevés. Veuillez ne pas vous fonder uniquement sur les informations de cette page pour prendre vos décisions. Pour en savoir plus, consultez l’avertissement.

Actualités associées

Il y a 1h

Le KOSPI chute de 25,42 % en juillet, tombe sous 7 000, tandis que des courtiers prédisent un point bas proche de 6 000.

Il y a 2h

Samsung Electronics et SK Hynix chutent respectivement de 26 % et 37 % au cours des dernières semaines ; Mirae Asset maintient ses objectifs de cours

07-25 00:13

Samsung Electronics recule de 6,48 %, SK Hynix baisse de 6,67 % le 24 juillet, dans un contexte de craintes concernant les prix de la NAND, mais certains courtiers y voient une opportunité d’achat

07-24 07:55

Samsung Electronics et SK Hynix chutent de plus de 7% le 24 juillet, tandis que les investisseurs étrangers se désengagent

07-24 07:31

Les ETF à effet de levier sur Samsung et SK Hynix affichent des pertes de 28 à 30 % en deux semaines, tandis que les investisseurs particuliers fuient.

Analyse approfondie