AMD meluncurkan akselerator AI MI455X, dengan kecepatan memori HBM4 yang meningkat 2,9 kali dibanding generasi sebelumnya

AMD-2,24%
Key Takeaways
  • AMD mengumumkan akselerator AI Instinct MI455X pada 22 Juli 2026, dengan memori HBM4.
  • MI455X menawarkan kapasitas 432GB dan bandwidth 23,3 TB/detik, meningkatkan kapasitas 1,5x dan kecepatan 2,9x dibanding MI355X.
  • AMD dan Samsung Electronics menandatangani MoU pada Maret 2026 untuk memperluas kerja sama HBM4 dan mengembangkan teknologi HBM4E generasi berikutnya.

AMD pada 22 Juli, di acara tahunan “AMD Advancing AI 2026” yang digelar di Moscone Center, San Francisco, California, meluncurkan akselerator AI baru Instinct MI455X. Dibandingkan produk generasi sebelumnya MI355X (yang menggunakan 8 lapis tumpuk HBM3E dengan kapasitas 288GB), kapasitas MI455X naik 1,5 kali dan kecepatan naik 2,9 kali.

Spesifikasi HBM4 untuk AMD MI455X

MI455X dilengkapi spesifikasi HBM4 yang merupakan hasil dari beberapa peningkatan kunci berikut:

· Perbandingan generasi (MI455X HBM4 vs MI355X HBM3E)

· Jumlah lapisan tumpuk: 12 lapis vs 8 lapis (+4 lapis)

· Kapasitas per chip: 432GB vs 288GB (naik 1,5 kali)

· Lebar pita: 23,3 TB/s vs sekitar 8 TB/s (naik 2,9 kali)

· Lebar kanal: 2048 bit vs 1024 bit (diperbesar 2 kali)

· Performa komputasi total: sekitar 4 kali lebih tinggi dibanding generasi sebelumnya

Dieckmann menjelaskan bahwa peningkatan kecepatan tidak hanya berasal dari peningkatan frekuensi clock, melainkan dicapai secara bersamaan melalui penambahan jumlah lapisan tumpuk (8 lapis → 12 lapis) dan pelipatan lebar kanal koneksi (1024 bit → 2048 bit).

Integrasi sistem MI455X: CPU 256GB/s terhubung langsung

CPU yang dipasangkan dengan MI455X adalah prosesor server AMD generasi keenam (EPYC Gen6). Melalui kanal khusus, CPU terhubung langsung dengan GPU, dengan kecepatan transfer data hingga 256GB per detik, sehingga CPU dapat mengakses memori GPU tanpa penundaan dan menghilangkan bottleneck pertukaran data. Pada level sistem Helios, satu rak dapat mengintegrasikan hingga 72 unit MI455X. Total kapasitas HBM4 dapat mencapai 31TB, dengan lebar pita memori hingga 1,7 PB/s; sehingga peningkatan kinerja memori setara dengan skala pada level chip, yakni skalabilitas level rak.

Samsung Electronics sebagai pemasok utama HBM4

Seorang eksekutif AMD yang diwawancarai di lokasi mengungkapkan bahwa Samsung Electronics akan memasok sebagian besar memori HBM4 untuk MI455X. Produk HBM4 yang tengah disiapkan Samsung menggunakan desain tumpuk 12 lapis dengan kapasitas kelas 36GB, memakai proses 10 nm (1c), laju transfer per pin 13Gbps, dan lebar pita per tumpukan hingga 3,3TB/s; disebutkan jauh lebih cepat dibanding generasi sebelumnya HBM3E.

AMD dan Samsung Electronics telah menandatangani MOU pada Maret 2026 di lokasi kantor Samsung Pyeongtaek untuk memperluas kerja sama di bidang HBM4; eksekutif AMD juga menyatakan bahwa kerja sama keduanya akan semakin diperkuat pada tahap HBM4E generasi berikutnya, dengan target mencapai 16 lapis tumpuk, kapasitas sekitar 60GB, serta lebar pita puluhan TB/s.

Pertanyaan yang sering diajukan

Berapa spesifikasi memori HBM4 yang dibawa AMD MI455X, dan bagaimana perbandingannya dengan MI355X generasi sebelumnya?

MI455X membawa HBM4 dengan 12 lapis tumpuk, kapasitas per chip 432GB, dan lebar pita 23,3 TB/s. Dibandingkan MI355X generasi sebelumnya yang menggunakan HBM3E 8 lapis tumpuk (kapasitas 288GB), kapasitas meningkat 1,5 kali dan kecepatan meningkat 2,9 kali; performa komputasi total naik sekitar 4 kali dari generasi sebelumnya.

Apa peran Samsung Electronics dalam pasokan HBM4 untuk AMD MI455X?

Berdasarkan pernyataan eksekutif AMD dalam wawancara di lokasi, Samsung Electronics akan menyediakan sebagian besar memori HBM4 untuk MI455X. Produk HBM4 Samsung menggunakan tumpukan 12 lapis, kapasitas 36GB, proses 10 nm (1c), dengan lebar pita per tumpukan hingga 3,3TB/s. AMD dan Samsung Electronics juga telah menandatangani MOU pada Maret 2026 untuk memperluas kerja sama, serta secara bersama mengembangkan generasi berikutnya HBM4E.

Kapan MOU AMD dan Samsung Electronics ditandatangani, dan apa cakupan kerja samanya?

AMD dan Samsung Electronics menandatangani memorandum of understanding (MOU) pada Maret 2026 di lokasi kantor Samsung Pyeongtaek, dengan tujuan memperluas kerja sama di bidang memori generasi berikutnya (termasuk HBM4). Kedua pihak juga mengembangkan HBM4E (HBM generasi ketujuh) secara bersama, dengan target 16 lapis tumpuk, kapasitas sekitar 60GB, dan lebar pita puluhan TB/s.

Penafian: Informasi di halaman ini mungkin berasal dari sumber pihak ketiga dan hanya untuk referensi. Ini tidak mewakili pandangan atau pendapat Gate dan bukan merupakan nasihat keuangan, investasi, atau hukum. Perdagangan aset virtual melibatkan risiko tinggi. Mohon jangan hanya mengandalkan informasi di halaman ini saat membuat keputusan. Untuk detailnya, lihat Penafian.
Komentar
0/400
Tidak ada komentar