韓国メディアの報道によると、中国のCXMTは合肥で、EUVリソグラフィを回避し、深紫外線（DUV）露光技術のみを使用するボンデッドDRAM生産ラインをテストしている。ボンデッドDRAMは、メモリアレイと周辺回路を異なるウェハーに分離し、その後貼り合わせることで、EUV装置なしで超高密度生産を可能にする。韓国の評価では、CXMTはサムスン電子の「B1b」プロジェクトやSKハイニックスの並行取り組みのもとで同様の技術を開発しているサムスン電子とSKハイニックスを、技術力と開発速度の両面でリードする可能性があると示唆している。
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