Samsung і Broadcom підписали партнерську угоду щодо $200B AI-півпровідників до 2030 року

Samsung Electronics підписала стратегічне партнерство — меморандум про взаєморозуміння — з Broadcom 24-го числа (за місцевим часом) на AI Summit у Сан-Франциско. Співпраця на суму понад $200 млрд (приблизно 280 трлн вонів) триватиме до 2030 року та зосередиться на створенні інфраструктури для штучного інтелекту нового покоління. Партнерство відповідає на зростання впровадження глобальними компаніями у сфері великих технологій спеціалізованих інтегральних схем під конкретні застосунки: поєднуючи сильні сторони Broadcom у проєктуванні кастомних напівпровідників із можливостями Samsung у пам’яті, ливарному виробництві (foundry) та пакуванні, щоб посилити конкурентоспроможність AI-напівпровідників.

У церемонії підписання взяли участь Хан Джин-ман, президент бізнесу Samsung Electronics з виробництва (Foundry Business), Хок Тан, CEO Broadcom, керівники обох компаній, а також представники уряду. Також на заході були присутні президент Лі Чже-мьон і голова Samsung Electronics Лі Дже-йон.

Партнерство Samsung–Broadcom охоплює пам’ять, ливарне виробництво та пакування до 2030 року

Обидві компанії розширять співпрацю в сегментах пам’яті, foundry та передового пакування протягом наступних п’яти років. Samsung Electronics постачатиме Broadcom продукцію передової пам’яті, зокрема high bandwidth memory, для AI-акселераторів нового покоління. Партнерство застосує процеси ливарного виробництва (foundry) 2 нм і нижче та технології передового пакування до ключових продуктів Broadcom.

Samsung постачає HBM4 і застосовує процес foundry 2 нм до продуктів Broadcom

Samsung Electronics масово виробила та відвантажила HBM4 із застосуванням технології 1c DRAM і 4-нм базового кристала в лютому. У травні компанія постачила зразки HBM4E клієнтам. Пам’ять Samsung HBM використовуватиметься, щоб підвищити обчислювальну продуктивність і енергоефективність AI-акселераторів Broadcom.

У секторі foundry партнерство застосує процеси 2 нм і нижче до ключових продуктів Broadcom, зокрема напівпровідників для високошвидкісної передачі даних нового покоління. Компанії планують скоротити періоди розробки продуктів, поєднавши проєктування напівпровідників, оптимізацію процесу, пакування та масове виробництво.

Керівники підкреслюють інтегровані рішення для напівпровідників в епоху ШІ

Чон Єн-хьон, віцепрезидент DS Division Samsung Electronics, заявив, що «в епоху ШІ важливі напівпровідникові рішення, які тісно інтегрують пам’ять, логіку та передове пакування». Він додав: «Ми розширимо співпрацю з Broadcom, щоб прискорити розробку майбутньої інфраструктури для ШІ та надати клієнтам більшу цінність».

Чарлі Кавас, президент Semiconductor Solutions Group у Broadcom, сказав: «Завдяки співпраці з Samsung Electronics ми створимо рішення нового покоління, оптимізовані для спільного диверсифікування запитів ринку».

FAQ

Яка вартість партнерства Samsung–Broadcom, оголошеного 24-го?

Стратегічне партнерство між Samsung Electronics і Broadcom оцінюється в понад $200 млрд (приблизно 280 трлн вонів) і триватиме до 2030 року. Співпраця охоплює пам’ять, foundry та передове пакування для розвитку інфраструктури для ШІ.

Які конкретні продукти Samsung Broadcom використовуватиме у своїх AI-акселераторах?

Broadcom використовуватиме продукти пам’яті Samsung high bandwidth memory, зокрема HBM4 і HBM4E, в AI-акселераторах нового покоління. Samsung масово виробила HBM4 у лютому та постачила зразки HBM4E клієнтам у травні. Партнерство також застосує процеси foundry Samsung 2 нм і нижче до ключових продуктів Broadcom.