Parceria de semicondutores de IA $200B entre Samsung e Broadcom até 2030

A Samsung Electronics assinou um memorando de entendimento (MOU) de parceria estratégica com a Broadcom no dia 24 (horário local), durante o AI Summit em San Francisco. A colaboração, avaliada em mais de US$ 200 bilhões (aproximadamente 280 trilhões de won), vai até 2030 e se concentrará na construção de infraestrutura central de IA de próxima geração. A parceria aborda a crescente adoção de circuitos integrados específicos para aplicações personalizadas por grandes empresas de tecnologia globais, combinando as capacidades de design de semicondutores personalizados da Broadcom com a atuação da Samsung em memória, fundição e empacotamento (packaging) para reforçar a competitividade de semicondutores de IA.

A cerimônia de assinatura contou com Han Jin-man, presidente do Negócio de Fundição da Samsung Electronics, Hock Tan, CEO da Broadcom, executivos das duas empresas e autoridades do governo. O presidente Lee Jae-myung e o presidente da Samsung Electronics, Lee Jae-yong, também estiveram presentes no evento.

Parceria Samsung-Broadcom abrange memória, fundição e empacotamento até 2030

As duas empresas vão ampliar a cooperação em memória, fundição e empacotamento avançados pelos próximos cinco anos. A Samsung Electronics vai fornecer produtos avançados de memória, incluindo high bandwidth memory, para os aceleradores de IA de próxima geração da Broadcom. A parceria aplicará processos de fundição de 2 nanômetros e abaixo, além de tecnologias avançadas de empacotamento, aos principais produtos da Broadcom.

Samsung fornece HBM4 e aplica processo de fundição de 2 nm aos produtos da Broadcom

A Samsung Electronics produziu em massa e enviou HBM4 aplicando tecnologia de base die 1c DRAM e 4nm em fevereiro. Em maio, a empresa forneceu amostras de HBM4E para clientes. A memória HBM da Samsung será utilizada para melhorar o desempenho computacional e a eficiência energética dos aceleradores de IA da Broadcom.

No setor de fundição, a parceria vai aplicar processos de 2 nanômetros e abaixo aos principais produtos da Broadcom, incluindo semicondutores de comunicação de dados de alta velocidade de próxima geração. As empresas pretendem reduzir os períodos de desenvolvimento de produtos conectando design de semicondutores, otimização de processo, empacotamento e produção em massa.

Executivos destacam soluções integradas de semicondutores para a era da IA

Jeon Young-hyun, vice-presidente do Grupo DS da Samsung Electronics, afirmou que “na era da IA, são importantes soluções de semicondutores que integrem de forma estreita memória, lógica e empacotamento avançado”. Ele acrescentou: “Vamos ampliar a cooperação com a Broadcom para acelerar o desenvolvimento da infraestrutura futura de IA e oferecer mais valor aos clientes”.

Charlie Kawas, presidente do Semiconductor Solutions Group da Broadcom, disse: “Por meio da cooperação com a Samsung Electronics, vamos criar soluções de próxima geração otimizadas para atender, em conjunto, às demandas diversificadas do mercado”.

FAQ

Qual é o valor da parceria Samsung-Broadcom anunciada no dia 24?

A parceria estratégica entre a Samsung Electronics e a Broadcom é avaliada em mais de US$ 200 bilhões (aproximadamente 280 trilhões de won) e vai durar até 2030. A colaboração abrange memória, fundição e empacotamento avançados para o desenvolvimento de infraestrutura de IA.

Quais produtos específicos da Samsung a Broadcom vai usar em seus aceleradores de IA?

A Broadcom vai usar os produtos de high bandwidth memory da Samsung, incluindo HBM4 e HBM4E, em seus aceleradores de IA de próxima geração. A Samsung produziu em massa a HBM4 em fevereiro e forneceu amostras de HBM4E para clientes em maio. A parceria também aplicará os processos de fundição de 2 nanômetros e abaixo da Samsung aos principais produtos da Broadcom.