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Samsung, SK Hynix Reavaliam Tecnologia de Bonding Híbrido para a Próxima Geração de HBM

2026-07-06 03:31:00

Segundo os meios de comunicação coreanos, a Samsung Electronics e a SK Hynix estão a reavaliar o calendário para a introdução da tecnologia de ligação híbrida (hybrid bonding) na memória de alta largura de banda (HBM) de próxima geração. O potencial atraso decorre da redução da procura por melhorias na redução de espessura e no desempenho térmico em aplicações HBM. Ambas as empresas estão a desenvolver separadamente soluções térmicas alternativas — HPB e iHBM — previstas para integração nos produtos HBM5. Os analistas do setor assinalam que a ligação híbrida deverá continuar a ser uma via tecnológica crítica a longo prazo, à medida que o número de pinos de I/O do HBM continua a aumentar.

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