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A Samsung vai implementar um processo de 2 nm para a memória de IA HBM5, 50% mais rápida do que a HBM4E

GateNews
Notícias da indústria de IA
De acordo com o Chosun Daily, a 27 de julho a Samsung Electronics anunciou planos para usar o seu processo de 2 nanómetros na matriz base da sua oitava geração de memória de banda larga (HBM5). A empresa afirmou que a HBM5 irá processar dados mais de 50% mais depressa do que os actuais chips HBM4E, recorrendo a uma matriz base de 2 nm Gate-All-Around e a vias através do silício (TSVs) melhoradas para aumentar a velocidade e a eficiência energética.
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