По данным BlockBeats, компания Micron провела церемонию закладки фундамента 5 июля для расширения завода стоимостью 1,5 триллиона иен (около 9,3 миллиарда долларов) в Хиросиме (Япония) с целью устранения острой нехватки памяти HBM, DRAM и NAND, вызванной ИИ. Компания ожидает, что ограничения предложения сохранятся до 2026 года, а новые мощности появятся с 2027 года. Завод в Хиросиме будет сосредоточен на передовых чипах HBM для приложений ИИ, производство ожидается около 2028 года при значительной поддержке японских государственных субсидий.
Параллельно Micron расширяется по всей территории США и Азии. В США компания инвестирует около 200 миллиардов долларов в производство и исследования, включая завод стоимостью 50 миллиардов долларов в Бойсе (штат Айдахо), который должен заработать в середине 2027 года, и новый завод по производству микросхем. В Сингапуре открывается завод по производству передовых пластин NAND стоимостью 24 миллиарда долларов, который начнет производство в конце 2028 года. К 2030 году компания стремится производить примерно 40% мирового DRAM на внутреннем рынке.