Samsung Electronics DRAM дорожает три квартала подряд, цель на Q3 — 20%

Samsung Electronics ведет переговоры по ценам на DRAM общего назначения на Q3 2026 года. Согласно отраслевым данным, приведенным южнокорейским изданием ZDNET Korea, цель — повысить среднюю отпускную цену (ASP) на DRAM общего назначения до 20% по сравнению с предыдущим кварталом. LPDDR, из-за «серьезного узкого места» на серверном и мобильном рынках, цель повышения превышает 20%.

Цели Samsung по ценам на Q3: ASP на DRAM общего назначения — до +20%, LPDDR — более +20%

Согласно отраслевым данным, приведенным ZDNET Korea, Samsung демонстрирует жесткую позицию в переговорах по ценам на Q3. Цель по ASP DRAM общего назначения — рост до 20% к/к. LPDDR (низкопотребляющая память с удвоенной скоростью передачи данных) — более 20% из-за одновременного «серьезного узкого места» на серверном и мобильном рынках. Динамика роста Samsung за предыдущие два квартала: ASP DRAM в Q1 — около +90% к/к, в Q2 — около +50–60% к/к.

Отраслевые эксперты отмечают, что Samsung занимает первое место по глобальной доле рынка DRAM общего назначения, что дает ей более сильное влияние на ценообразование. Кроме того, доля DRAM общего назначения в общем объеме производства Samsung выше, что является основной причиной более заметного роста по сравнению с SK Hynix.

Эксперты также обращают внимание, что конечные производители могут сокращать объемы заказов или переключаться на других поставщиков в качестве переговорного инструмента. Итоговый рост цен на Q3 еще предстоит определить.

UBS повысил прогноз цен на память: прогнозы по DRAM и NAND на Q3/Q4

Согласно последнему отчету UBS (Швейцарский банк), прогнозы цен на DRAM и NAND следующие:

DRAM Q3 — рост на 32% к/к (значительно выше среднерыночного консенсуса)
DRAM Q4 — рост на 18% к/к
NAND Q3 — рост на 30% к/к
NAND Q4 — рост на 12% к/к

Этот прогноз UBS значительно превышает среднерыночный консенсус, отражая высокий оптимизм Уолл-стрит относительно суперцикла памяти, вызванного AI. Вышеуказанное представляет собой личный прогноз аналитиков UBS и не является инвестиционной рекомендацией. Фактические цены основаны на официальных объявлениях производителей и отраслевых данных.

Причины стабильного ценообразования SK Hynix: долгосрочные контракты HBM и предстоящее IPO в США

Тренд ценообразования SK Hynix на Q3 относительно стабилен. Основная причина — более высокая доля бизнеса AI-памяти HBM (высокопропускная память), которая в основном основана на долгосрочных контрактах (LTA), фиксирующих цены и менее подверженных краткосрочным рыночным колебаниям. SK Hynix готовится к IPO на NASDAQ объемом 29 миллиардов долларов. Ожидается, что его возможности по расширению капитала еще больше увеличат отрыв от Samsung в сегменте HBM.

В отличие от этого, у Samsung выше доля бизнеса DRAM общего назначения, что делает его более чувствительным к колебаниям спотовых цен, поэтому он более активно стремится к повышению цен в переговорах на Q3.

Часто задаваемые вопросы

Каков последний статус переговоров Samsung по повышению цен на DRAM на Q3? Определен ли окончательный рост?

Согласно отраслевым данным, приведенным ZDNET Korea, цель Samsung на Q3 — рост до 20% для DRAM общего назначения и более 20% для LPDDR. Однако эксперты отмечают, что конечные производители могут использовать сокращение объемов заказов или переход к другим поставщикам в качестве рычага переговоров. Окончательный рост на Q3 еще предстоит определить. Конкретные цифры будут основаны на официальных финансовых отчетах производителей.

Насколько прогнозы UBS по ценам DRAM и NAND выше рыночного консенсуса?

Согласно отчету, UBS прогнозирует рост DRAM на Q3 на 32% к/к, на Q4 — на 18% к/к, NAND на Q3 — на 30% к/к, на Q4 — на 12% к/к. В отчете указано, что этот прогноз «значительно выше среднерыночного консенсуса», но конкретное значение консенсуса не раскрыто. Это личный прогноз аналитиков UBS. Ориентируйтесь на обновленные официальные рыночные исследования.

Почему предложение традиционной DRAM от трех крупных производителей продолжает сокращаться?

Согласно отчету, три крупных производителя (Samsung, SK Hynix, Micron) перенаправили около 93% своих производственных мощностей на выпуск HBM. На каждый бит HBM требуется примерно в три раза больше площади пластин, чем на DDR5. Это существенно вытесняет предложение традиционной DRAM. Новые производственные мощности на пластинах появятся не ранее 2027 года, поэтому структурное сжатие предложения в краткосрочной перспективе сложно быстро ослабить.