По данным аналитика Citrini Джукан, Samsung Electronics планирует построить новый завод по производству полупроводниковых пластин DRAM на кампусе в Гихынге, переоборудовав исходный участок, предназначенный для исследовательского центра. Ожидается, что предприятие будет выпускать примерно 100 000 пластин ежемесячно, а общий объём инвестиций достигнет десятков триллионов корейских вон. Samsung сформировала внутреннюю команду для продвижения проекта, и первоначальное строительство может начаться уже в III квартале 2026 года. Компания также планирует размещение кластеров полупроводников следующего поколения в Ёнъине (провинция Кёнгидо), ориентируясь на начало производства в начале 2029 года.

Посмотреть источник

Дисклеймер: Информация на этой странице может быть получена из источников третьих сторон и предоставляется только для ознакомления. Она не отражает взгляды или мнения Gate и не является финансовой, инвестиционной или юридической рекомендацией. Торговля виртуальными активами связана с высоким риском. Пожалуйста, не основывайте свои решения исключительно на данных этой страницы. Подробнее смотрите в Дисклеймере.

Связанные новости

22ч назад

Tower Semiconductor инвестирует 3 миллиарда долларов в производство чипов в Японии 14 июля

07-14 10:30

Bank of America: ёмкость чипов памяти в Южной Корее будет расти ниже чем на 10% в год, при этом будет пропущена цель удвоения к 2030 году

07-14 09:01

Samsung Electronics в настоящее время не рассматривает выпуск американских депозитарных расписок (ADR)

07-14 07:52

Samsung Electronics рассматривает возможность листинга американских депозитарных расписок (ADR) 14 июля

07-14 06:13

Список Changxin Memory на Шанхайской фондовой бирже 27 июля: привлечено 29,5 миллиарда юаней — крупнейшее IPO в Азии в 2026 году

Детальный анализ