Samsung, SK Hynix пересматривают технологию гибридного соединения для HBM следующего поколения

Как сообщают корейские СМИ, Samsung Electronics и SK Hynix пересматривают сроки внедрения технологии гибридного соединения (hybrid bonding) в памяти с высокой пропускной способностью нового поколения (HBM). Потенциальная задержка вызвана снижением спроса на уменьшение толщины и улучшение тепловых характеристик в приложениях HBM. Обе компании отдельно разрабатывают альтернативные тепловые решения — HPB и iHBM, запланированные для интеграции в продукты HBM5. Отраслевые аналитики отмечают, что, как ожидается, гибридное соединение останется критически важным долгосрочным технологическим направлением по мере дальнейшего увеличения количества контактов ввода-вывода HBM.
Дисклеймер: Информация на этой странице может быть получена из источников третьих сторон и предоставляется только для ознакомления. Она не отражает взгляды или мнения Gate и не является финансовой, инвестиционной или юридической рекомендацией. Торговля виртуальными активами связана с высоким риском. Пожалуйста, не основывайте свои решения исключительно на данных этой страницы. Подробнее смотрите в Дисклеймере.
комментарий
0/400
Нет комментариев