Apple bắt đầu thử nghiệm DRAM của Changxin Storage cho các mẫu thị trường Trung Quốc, Bank of America xem xét ba trở ngại

Theo wccftech, Apple đã bắt đầu thử nghiệm nội bộ DRAM của Changxin Storage cho iPhone và iPad dành cho thị trường Trung Quốc, sau các báo cáo vào tháng trước rằng công ty đang tìm kiếm sự chấp thuận của cơ quan quản lý Hoa Kỳ để mua chip từ nhà sản xuất chip Trung Quốc.

Tuy nhiên, Bank of America bày tỏ sự hoài nghi về việc áp dụng trên diện rộng, chỉ ra ba trở ngại chính: các hạn chế địa chính trị (Changxin nằm trong danh sách 1260H của Bộ Quốc phòng Hoa Kỳ), khoảng cách hiệu suất kỹ thuật về tốc độ và hiệu quả năng lượng LPDDR5X so với thông số kỹ thuật của iPhone cao cấp, và rủi ro kiện tụng bằng sáng chế từ các chủ sở hữu bằng sáng chế DRAM lâu đời như Samsung, SK Hynix và Micron. Phân tích của BofA cho thấy bất kỳ triển khai nào có thể sẽ chỉ giới hạn ở các mẫu cơ bản như iPhone 18e.

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.
Bình luận
0/400
Không có bình luận