Theo truyền thông Hàn Quốc ZDNET, SK Hynix đã bắt đầu mua sắm thiết bị cho giai đoạn một của phòng sạch (cleanroom) tại nhà máy Y1 ở cụm bán dẫn Yongsan vào ngày 14/7, với kế hoạch ban đầu nhằm bổ sung năng lực sản xuất DRAM 1c đạt 20.000 tấm mỗi tháng.
Việc khởi động phòng sạch giai đoạn một của nhà máy Y1 đã được đẩy lên tháng 2/2027, thay vì thời điểm dự kiến ban đầu là tháng 5/2027. Công ty dự kiến bắt đầu xây dựng dây chuyền sản xuất thử nghiệm vào thời điểm này và tiến hành lắp đặt thiết bị chính thức trong khoảng từ tháng 3 đến tháng 4. Dây chuyền sản xuất sẽ tập trung vào DRAM 1c thế hệ thứ sáu thuộc nhóm 10 nanomet cho các ứng dụng AI cao cấp, bao gồm các sản phẩm DDR và LPDDR, với kế hoạch cung cấp HBM4E sớm nhất từ năm 2027.