$1,953.50
-$116.51(-5.62%)
*頁面數據最近更新時間：2026-07-03 17:24 (UTC+8)
至 2026-07-03 17:24，Roundhill 内存 ETF (DRAM) 股票報價為 $1,953.50，總市值為 $661.86億，本益比為 0.00，股利率為 0.00%。 當日股票價格在 $1,879.79 至 $2,124.30 之間波動，當前價格較日內低點高 3.92%，較日內高點低 8.03%，成交量為 7,568.38萬。 過去 52 週，DRAM 股票價格區間為 $1,482.06 至 $2,613.64，當前價格距 52 週高點 -25.25%。
DRAM 關鍵數據
昨日收盤價$2,097.20
市值$661.86億
成交量7568.38萬
本益比0.00
股利收益率 (TTM)0.00%
淨利潤（會計年度）$0.00
營收（會計年度）$0.00
營收預測$0.00
流通股數3155.97萬
Beta 值（1 年）0
DRAM 簡介
DRAM旨在为投资者提供对全球半导体存储行业的有针对性敞口。投资组合构建旨在强调在半导体存储产品及相关技术中具有显著市场份额和收入份额的行业领先公司。存储产品包括高带宽存储器、动态随机存取存储器（DRAM）、NAND闪存和利用NAND技术的固态硬盘、NOR闪存、硬盘驱动器以及专用或嵌入式存储解决方案。此重点旨在提供被认为对推动人工智能应用至关重要的大型市值敞口。为了实现其主动投资策略，基金可能持有股票或衍生品，如掉期或远期合约。投资组合权重基于经过调整的市值方法，单一公司权重上限为25%，并反映顾问对每家公司在存储行业中的市场和收入份额的评估。再平衡至少每季度进行一次。
所屬板塊金融服务
所屬產業资产管理
總部New York,NY,US
了解更多 Roundhill 内存 ETF (DRAM) 資訊
Blogs
高盛为何押注 HBM 明年再涨 44%？传统 DRAM 涨价正在改写定价逻辑高盛 6 月 DRAM 情绪调查维持温和正面，将三星 2027 年 HBM 价格增速预期从 14% 大幅上调至 44%，并强调仍有上行空间。2026-07-01
HBM vs DRAM：AI 大模型为何离不开它？存储芯片从“平面时代”走向“ 3D 革命”本文从技术架构、带宽能效、市场格局三维度拆解存储芯片革命，并梳理 AI 算力浪潮下的投资逻辑与 Gate 股票交易指南。2026-06-30
美光财报后的半导体配置逻辑：HBM、DRAM、NAND 如何选择？本文拆解 HBM/DRAM/NAND 三类存储芯片的配置逻辑与风险边界。2026-06-25
Roundhill 内存 ETF (DRAM) FAQ
Roundhill 内存 ETF (DRAM) 今天的股價是多少？
x
Roundhill 内存 ETF (DRAM) 當前報價 $1,953.50，24 小時變動 -5.62%。52 週交易區間為 $1,482.06–$2,613.64。
Roundhill 内存 ETF (DRAM) 的 52 週最高價和最低價是多少？
x
Roundhill 内存 ETF (DRAM) 的本益比 (P/E) 是多少？說明了什麽？
x
Roundhill 内存 ETF (DRAM) 的市值是多少？
x
Roundhill 内存 ETF (DRAM) 最近一季的每股收益 (EPS) 是多少？
x
Roundhill 内存 ETF (DRAM) 現在該買入還是賣出？
x
哪些因素會影響 Roundhill 内存 ETF (DRAM) 的股價？
x
如何購買 Roundhill 内存 ETF (DRAM) 股票？
x
風險提示
股票市場具有高風險和價格波動性。您的投資價值可能會增加或減少，且您可能無法收回全部投資金額。過往表現並非未來業績的可靠指標。在做出任何投資決策之前，您應仔細評估自身的投資經驗、財務狀況、投資目標和風險承受能力，並自行進行研究。如有需要，請諮詢獨立的財務顧問。
免責聲明
本頁面內容僅供參考，不構成投資建議、財務建議或交易推薦。Gate 不對因此類財務決策而造成的任何損失或損害承擔責任。此外，請注意 Gate 可能無法在某些市場和司法管轄區提供全部服務，包括但不限於美國、加拿大、伊朗和古巴。有關受限地區的更多資訊，請參閱《用戶協議》的相關條款。