根據《福布斯》，先進晶片製造可能面臨潛在中斷，因為多項新興光刻技術正接近在 2030 年前商業化。原子光刻使用原子束直接在矽晶圓上蝕刻，潛在可將晶片線寬縮小到比現有 EUV 能力小 1-2 個數量級。X 光光刻在理論上可利用低於 1 奈米的波長，實現更精準的電晶體結構。近期，華為宣布正在開發一種新的半導體架構，旨在不依賴 EUV 技術製造先進 AI 晶片，顯示產業正推動朝向替代目前主導光刻方法的方向前進。
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