根據SemiAnalysis，在VLSI 2026會議上，Kioxia與Samsung皆展示了多陣列混合鍵合NAND架構，作為實現超過1,000層密度之路徑。Kioxia的多堆疊單元陣列（MSA）樣品包括雙218層（2堆疊）機械樣品，以及用於QLC可靠性驗證的雙17層電氣樣品。Samsung的單元多重鍵合（CMB）樣品更進一步，推出雙450層（3堆疊）機械樣品與雙155層電氣樣品。SemiAnalysis指出，在當前產能受限的環境下，業界應優先專注於增加每蝕刻層的字線數量，而非追求更高的堆疊數，以避免因良率損失導致每座晶圓廠的位元產出下降。
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