据韩国媒体报道，中国CXMT正在合肥测试一种绕过EUV光刻的 bonded DRAM 生产线，仅使用深紫外（DUV）曝光技术。Bonded DRAM 将存储阵列和外围电路分离到不同的晶圆上，然后键合在一起，从而无需 EUV 设备即可实现超高密度生产。韩国评估认为，CXMT 在技术能力和开发速度上可能领先于三星电子和 SK 海力士——后者正在三星的“B1b”项目和 SK 海力士的并行努力下开发类似技术。
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