据 Tom's Hardware 报道，英特尔于 7 月 2 日披露了一项新内存架构的专利申请，名为 Cross-Batch Memory (XBM)，旨在通过降低封装成本和提高制造良率来取代或补充传统 HBM。
XBM 架构将 DRAM 晶体管转移到后端 (BEOL) 制造层，并使用 UCIe 芯片互连标准以 32 GT/s 的串行数据传输取代 HBM 的宽并行接口。英特尔强调内置修复机制和简化封装结构，以相比基于硅中介层的 HBM 堆栈降低整体成本。该专利申请最初于 2024 年 12 月提交，目前仍处于概念阶段，尚未公布任何产品或时间表。
