据韩国媒体 ZDNET 报道，SK 海力士已于 7 月 14 日开始为其位于龙山半导体集群的 Y1 硅片工厂（wafer fab）第一阶段洁净室采购设备，初步计划每月新增 2 万片 1c DRAM 产能。
Y1 工厂第一阶段洁净室的投产时间已提前至 2027 年 2 月，原计划为 2027 年 5 月。公司计划届时启动试产线建设，并在 3 月至 4 月期间进行正式设备安装。该产线将聚焦面向高价值 AI 应用的第六代 10 纳米级 1c DRAM，包括 DDR 和 LPDDR 产品，并计划最早于 2027 年开始供货 HBM4E。
