SK 海力士确认 HBM4E 的信心,并计划最高 40 万亿韩元投资

Key Takeaways
  • SK 海力士总裁宋显宗在 29 日举行的 2026 年第二季度财报电话会议上确认了对 HBM4E 的信心。
  • SK 海力士在第二季度启动了 HBM4 的大规模量产出货,并向主要客户提供了 HBM4E 样品。
  • SK 海力士计划今年为 P&T7 以及新的 NAND 生产基地追加 40 万亿韩元以上的投资。

SK 海力士(SK Hynix)总裁宋贤钟(Song Hyun-jong)在 29 日举行的 2026 年第二季度财报电话会议上表示,公司下一代 HBM4E 高带宽存储器技术充满信心,并称已应用具备技术成熟度与生产稳定性的最佳工艺,后续开发进度正顺利推进。该公告发布之际,存储器供应短缺提升了按时交付客户所需产量的能力,并将其纳入存储器制造商的核心竞争力因素。宋强调,SK 海力士将基于全面竞争力维持 HBM 领导地位,包括卓越品质、建立在高需求基础上的稳定供给能力、成本竞争力以及业界领先的性能;同时披露公司今年将进行 40 万亿韩元以上的上限投资,并持续从多角度审查进一步的股东回报举措。

SK 海力士推进 HBM4E 和 HBM4 量产与出货

SK 海力士从第二季度开始进行 HBM4 的量产出货,并计划在下半年扩大产量。公司在上半年向主要客户供应了 HBM4E 样品。宋表示,HBM4 通过持续的产品优化,在实现业界领先的功耗效率与成本竞争力的同时,满足客户所需的运行速度,从而展现出差异化的技术竞争力。他补充称,公司将凭借包括卓越品质、基于高需求的稳定供给能力、成本竞争力与业界领先性能在内的全面竞争力,持续保持 HBM 领导地位。

SK 海力士扩展 1c 纳米 DRAM 与先进 NAND 产品线

SK 海力士从第二季度开始全面供货基于 1c 纳米工艺的 DDR5 产品。对于 NAND 闪存,公司计划加速先进工艺的切换,并强化以高容量、高性能产品为中心的产品组合。宋解释称,公司将继续扩大产能以响应客户需求及中长期增长,并计划基于与客户的咨询以及市场需求预测,提前锁定未来供给能力所需的基础设施。

SK 海力士计划 40 万亿韩元以上投资并建设新设施

SK 海力士预计今年投资规模处于 40 万亿韩元以上的区间。公司近期公布了针对 P&T7 的投资计划,以强化先进封装能力,并建设新的 NAND 生产基地。SK 海力士还披露了中长期计划,即在湖南(Honam)地区建立新的本土半导体集群。宋表示,公司将把握可创造高盈利能力与战略价值的成长型投资机会作为优先事项,同时在市场波动情况下确保能够支持稳定经营的财务结构。

SK 海力士审查额外股东回报举措

SK 海力士正在对额外股东回报实施举措进行多方面审查。宋表示,公司计划继续与股东分享通过投资与稳定运营所创造的成果,并补充称,具体计划在最终确定后将向市场传达。公司计划同时继续推进投资与股东回报。

FAQ

SK 海力士在 29 日就 HBM4E 量产宣布了什么?

SK 海力士总裁宋贤钟在 29 日举行的 2026 年第二季度财报电话会议上表示,HBM4E 已应用具备技术成熟度与生产稳定性的最佳工艺,且后续开发进度正顺利推进。公司在上半年向主要客户供应了 HBM4E 样品。

SK 海力士今年计划投入多少投资?

SK 海力士预计今年投资规模处于 40 万亿韩元以上的区间。公司近期公布了针对 P&T7 的投资计划,用于建设先进封装设施与新的 NAND 生产基地,并披露了在湖南(Honam)地区建立新的半导体集群的中长期计划。

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