La CXMT chinoise teste une ligne de DRAM liée sans EUV, apparemment en avance sur Samsung et SK Hynix.

2026-07-05 09:30:59

Selon les médias sud-coréens, la CXMT chinoise teste une ligne de production de DRAM liée à Hefei, qui contourne la lithographie EUV en utilisant uniquement la technologie d'exposition aux ultraviolets profonds (DUV). La DRAM liée sépare les matrices mémoire et les circuits périphériques sur différentes tranches avant de les assembler, permettant une production à ultra-haute densité sans équipement EUV. Les évaluations sud-coréennes suggèrent que la CXMT pourrait devancer Samsung Electronics et SK Hynix—qui développent des technologies similaires dans le cadre du projet « B1b » de Samsung et des efforts parallèles de SK Hynix—tant en capacité technologique qu'en rapidité de développement.

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