Samsung et Broadcom signent un $200B partenariat dans les semi-conducteurs d’IA jusqu’en 2030

Samsung Electronics a signé un protocole d’entente de partenariat stratégique avec Broadcom le 24 (heure locale) lors du AI Summit à San Francisco. La collaboration, d’une valeur de plus de 200 milliards de dollars (environ 280 trillions de won), se poursuivra jusqu’en 2030 et portera sur la construction d’une infrastructure de base d’intelligence artificielle de nouvelle génération. Ce partenariat répond à l’adoption croissante, par les grandes entreprises technologiques mondiales, de circuits intégrés spécifiques à des applications (ASIC), en combinant les atouts de Broadcom en matière de conception de semi-conducteurs sur mesure avec les capacités de mémoire, de fonderie et d’emballage de Samsung afin de renforcer la compétitivité des semi-conducteurs destinés à l’IA.

La cérémonie de signature a réuni Han Jin-man, président de l’activité fonderie de Samsung Electronics, Hock Tan, PDG de Broadcom, des dirigeants des deux sociétés et des représentants du gouvernement. Le président Lee Jae-myung et le président de Samsung Electronics, Lee Jae-yong, étaient également présents à l’événement.

Le partenariat Samsung-Broadcom couvre la mémoire, la fonderie et l’emballage jusqu’en 2030

Les deux entreprises vont étendre leur coopération en mémoire, fonderie et advanced packaging au cours des cinq prochaines années. Samsung Electronics fournira des produits mémoire avancés, dont la high bandwidth memory (HBM), aux accélérateurs IA de nouvelle génération de Broadcom. Le partenariat appliquera des procédés de fonderie en 2 nanomètres et au-delà, ainsi que des technologies d’emballage avancées, aux principaux produits de Broadcom.

Samsung fournit la HBM4 et applique un procédé de fonderie en 2 nm aux produits de Broadcom

Samsung Electronics a industrialisé et expédié la HBM4 en appliquant une technologie de base 1c DRAM et un procédé de 4 nm en février. En mai, la société a fourni des échantillons de HBM4E à des clients. La mémoire HBM de Samsung sera utilisée pour améliorer les performances de calcul et l’efficacité énergétique des accélérateurs IA de Broadcom.

Dans le domaine de la fonderie, le partenariat appliquera des procédés en 2 nanomètres et au-delà aux principaux produits de Broadcom, y compris des semi-conducteurs de communication de données à grande vitesse de nouvelle génération. Les entreprises prévoient de réduire les délais de développement des produits en intégrant la conception des semi-conducteurs, l’optimisation des procédés, l’emballage et la production de masse.

Des dirigeants soulignent des solutions de semi-conducteurs intégrées pour l’ère de l’IA

Jeon Young-hyun, vice-président de la division DS de Samsung Electronics, a déclaré que « à l’ère de l’IA, les solutions de semi-conducteurs qui intègrent étroitement la mémoire, la logique et l’emballage avancé sont essentielles ». Il a ajouté : « Nous allons étendre notre coopération avec Broadcom afin d’accélérer le développement de l’infrastructure IA future et d’offrir davantage de valeur aux clients ».

Charlie Kawas, président du Semiconductor Solutions Group de Broadcom, a déclaré : « Grâce à la coopération avec Samsung Electronics, nous allons créer des solutions de nouvelle génération optimisées pour diversifier les besoins du marché ensemble ».

FAQ

Quelle est la valeur du partenariat Samsung-Broadcom annoncé le 24 ?

Le partenariat stratégique entre Samsung Electronics et Broadcom est d’une valeur de plus de 200 milliards de dollars (environ 280 000 milliards de won) et s’étendra jusqu’en 2030. La collaboration couvre la mémoire, la fonderie et l’emballage avancé pour le développement d’une infrastructure IA.

Quels produits Samsung spécifiques Broadcom utilisera-t-il dans ses accélérateurs IA ?

Broadcom utilisera les produits de mémoire à large bande passante de Samsung, notamment la HBM4 et la HBM4E, dans ses accélérateurs IA de nouvelle génération. Samsung a industrialisé la HBM4 en février et a fourni des échantillons de HBM4E à des clients en mai. Le partenariat appliquera également les procédés de fonderie de Samsung en 2 nanomètres et au-delà aux principaux produits de Broadcom.