R$0,000000
Cap. de Mercado
--
Máxima em 24h
--
Mínima em 24h
--
Volume em 24 horas
--
Suprimento Total
--
Sentimento do mercado
Neutro
Sobre Roundhill Memory ETF (DRAM)
O primeiro ETF temático do mundo focado exclusivamente em chips de memória, com gestão ativa e forte investimento em três gigantes do setor de armazenamento: Micron, SK Hynix e Samsung Electronics. O fundo concentra-se em DRAM, NAND flash e HBM (memória de alta largura de banda), beneficiando-se diretamente do aumento da demanda por poder de computação em IA e armazenamento de servidores.
Como comprar e usar Roundhill Memory ETF (DRAM)
More DRAM Articles
Troca de moeda fiduciária
Noções básicas e informações de mercado de Roundhill Memory ETF (DRAM)
Fundamentos
Como funciona o negócio de chips de memória da Micron (MU)? Um detalhamento dos sistemas de memória DRAM, NAND e IA.iniciantes
Atualização abrangente do ciclo de equipamentos de processo de IA: Análise da cadeia de suprimentos sul-coreana da Wonik IPS e de sua estrutura de investimentoiniciantes
O papel da SK Hynix na cadeia de suprimentos de IA: da NVIDIA ao ecossistema de data centersintermediário
Análise de mercado
Why Is Goldman Sachs Betting on HBM to Surge Another 44% Next Year? Traditional DRAM Price Hikes Are Reshaping the Pricing LandscapeGoldman Sachs’ June DRAM sentiment survey remains moderately positive. The firm has significantly raised its forecast for Samsung’s HBM price growth in 2027 from 14% to 44%, and emphasizes that there is still room for further upside.2026-07-01

HBM vs. DRAM: Why Are AI Large Models Dependent on It? How Memory Chips Are Evolving from the “Planar Era” to the “3D Revolution”This article explores the storage chip revolution from three perspectives: technical architecture, bandwidth efficiency, and market dynamics. It also outlines the investment strategies driven by the surge in AI computing power and provides a comprehensive guide to trading storage chip stocks on Gate.2026-06-30

Semiconductor Investment Strategy After Micron’s Earnings: How to Choose Between HBM, DRAM, and NAND?This article breaks down the configuration logic and risk boundaries of three types of memory chips: HBM, DRAM, and NAND.2026-06-25

Aviso de risco
criptomoedas são ativos de alto risco e estão sujeitas a significativa volatilidade de preço. O valor dos ativos digitais pode oscilar fortemente em um curto período, e você pode perder parte ou todo o valor principal investido. O desempenho passado não garante resultados futuros.
Antes de realizar qualquer transação, avalie cuidadosamente sua situação financeira, experiência em investimentos, objetivos de investimento e tolerância ao risco, além de garantir que compreende totalmente as características e os riscos associados às criptomoedas. Se necessário, consulte um(a) assessor(a) profissional independente e devidamente qualificado(a).
Isenção de responsabilidade
As informações fornecidas nesta página são apenas para referência geral e não constituem qualquer tipo de aconselhamento de investimento, financeiro, jurídico, tributário ou de negociação, nem representam oferta, solicitação ou recomendação.
A Gate não garante a precisão, integridade ou atualidade das informações relevantes e não se responsabiliza por perdas decorrentes de decisões tomadas pelos usuários com base nessas informações.
Os produtos e serviços da Gate podem ser restritos em determinadas jurisdições ou para certos usuários. Antes de utilizar os serviços relevantes, certifique-se de estar em conformidade com as leis e regulamentos aplicáveis e consulte o Termo de acordo do usuário para informações sobre regiões restritas e limitações de serviço.
valor
DRAM
valor
BRL





