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A Tower Semiconductor investe 3 mil milhões de dólares na produção de chips no Japão a 14 de julho

2026-07-14 16:27:47

A Reuters afirma que a Tower Semiconductor anunciou, a 14 de julho, planos para investir 3 mil milhões de dólares nas operações de fabrico de semicondutores do Japão, incluindo 1 mil milhão de dólares em financiamento governamental. A primeira fase vai expandir significativamente a capacidade de produção de silício fotónico em wafers de 300 mm na sua unidade Fab 6, com produção em pleno prevista para o 4.º trimestre de 2027. Uma segunda fase, a ser lançada em simultâneo, irá criar uma nova unidade de fabrico de equipamento de fotolitografia em wafers de 300 mm adjacente à Fab 7.

Aviso legal: As informações contidas nesta página podem provir de fontes externas e têm caráter meramente informativo. Não refletem os pontos de vista nem as opiniões da Gate e não constituem qualquer tipo de aconselhamento financeiro, de investimento ou jurídico. A negociação de ativos virtuais envolve um risco elevado. Não se baseie exclusivamente nas informações contidas nesta página ao tomar decisões. Para mais detalhes, consulte o Aviso legal.

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