华邦电创新高触及涨停！台股存储器族群领涨，台湾DRAM厂商排名再升级

记忆体市场供需失衡带动的强劲涨势持续延烧，华邦电（2344） 今日顺势突破涨停板，终场收于67.9元，单日涨幅达9.87%，并成为台股成交量与成交值的双冠王。这已是华邦电连续第三个交易日逆势上扬，累计三日涨幅更达到20.37%。同步带动旺宏、力积电等记忆体概念股全线上涨，形成盘面上最耀眼的涨势焦点。

涨停搜索新高，挑战69.1元前波价位

华邦电今日开盘即展现强大买气，上午10时成交量便突破20万张，正式锁定涨停价67.9元。股价现阶段已蓄势欲向2025年以来的历史高点69.1元发起新一轮冲击。

技术面显示，华邦电股价已触及布林带上轨，且稳站各短期均线之上，形成典型的多头排列态势。短线动能表现相当强烈，反映出市场做多气氛浓厚。资金推动力同样不容小觑，法人买盘已连续多日积极布局，其中以外资最为积极，足见机构投资者对公司前景的看好程度。

营收年增近四成，记忆体缺货行情打造台湾DRAM厂商排名上升

华邦电最新公布的营运数据显示，11月合并营收达86.29亿元，环比成长约5%，同比更暴增38.7%，创造超过三年来的最佳单月表现。前11个月累计营收为796.35亿元，年增率5.85%。

这波强劲成长源自于全球人工智能应用需求急剧扩张所带动的结构性变化。主要记忆体大厂为抢攻高毛利的高频宽记忆体（HBM）市场，纷纷调整产能配置，导致传统DRAM与快闪记忆体（Flash）供给出现严重排挤。华邦电及时提升资本支出，率先应对市场需求反转，客户订单随之大幅增加，在台湾DRAM厂商排名中地位显著提升。

从产业供需面观察，DRAM大厂的平均库存周数从去年底的13至17周，急速缩短至今年10月的2至4周，库存已去化至极低水位。供给端的结构性紧缩更加明显——全球主要厂商优先将产能配置给DDR5及HBM，叠加中国同业的同步调整，DDR4规格自第三季起开始面临根本性供给短缺。

需求端却依旧强劲。企业级固态硬盘（eSSD）等主流存储设备仍需搭配DDR4规格，实际市场需求远超预期，进一步凸显华邦电等厂商的战略地位。

外资看多至2026，现货价格狂涨5至6倍

外资机构近期研究报告一致看多记忆体产业后势，预期报价上涨动能将延续至2026年，并建议投资者「勿急着获利」。报告特别强调，DDR4中16Gb规格供应最为短缺，现货价已飙升至约每颗100美元，相对业界参考价45.5美元形成巨大落差。

有趣的是，市场甚至出现罕见的「价格倒挂」——DDR4现货价一度超越DDR5。从年初每颗不到新台币1元的低点，第四季已呈现5至6倍的惊人涨幅。

外资同时预估NOR Flash的供应缺口将在2026年持续扩大，其价格有望在明年第一季涨幅超过20%。在此基础上，外资机构再度确认对记忆体族群的正面评价，并明确将华邦电列为首选推荐标的。

法人同步加码，产能扩张接力上涨动能

华邦电为把握此波市场机遇，正启动双轴产能扩充战略。台中厂将持续提升NOR Flash、NAND Flash及成熟制程DRAM产出；高雄新厂的DRAM月产能规划从目前1.5万片晶圆，大幅提升至2.4万至2.5万片，预计2026年第一季量产更先进的16纳米制程产品。CUBE堆叠技术平台预期自2027年起对营收产生实质贡献。

市场研究机构预估2026年全球DDR4供需缺口将超过10%。在下游客户转用DDR5速度、两者价差变化等因素交互作用下，华邦电有望进入2026年获利成长最显著的阶段。

资金端态度更是积极。上周统计外资、投信与自营商三大法人同步加码华邦电，合计买超超过5万张，其中外资单周买超即达4.2万张以上。

台湾记忆体业者由于在HBM及3D堆叠（TSV）封测技术上尚未领先，目前主要受惠于DDR4与DDR5标准型记忆体涨价的「外溢效应」。华邦电、旺宏等原厂库存周转天数已从过去的185天，下降至140天左右，营收与获利能力实质改善。整体而言，台湾DRAM厂商排名在这波景气循环中将随着记忆体报价与终端需求走势而动，华邦电的后市表现值得密切追踪。