记忆体供应紧张推升涨势，华邦电（2344）技术面确认多头信号正式启动

伴隨著全球記憶體短缺趨勢加劇，華邦電今日股價攻上漲停板，終場收報67.9元，單日漲幅達9.87%，成交量與成交值雙雙領先台股。更值得關注的是，這已是華邦電連續第三個交易日上揚的表現，累計漲幅已達20.37%，帶動旺宏、力積電等整個記憶體族群全線走強。

產能缺口擴大，傳統記憶體進入供給側改革期

產業形勢的變化正在急速演進。國際記憶體大廠正在調整策略，將生產重心轉向高毛利的高頻寬記憶體（HBM），導致傳統DRAM與Flash的供應遭到擠壓，市場因此呈現嚴重的供不應求狀況。

根據最新統計，全球DRAM主要供應商的庫存週數已從去年底的13至17週，極速下滑至今年10月的僅2至4週，這意味著整個產業已經進入超低庫存的緊張狀態。與此同時，DDR4記憶體的供給格局自第三季起出現了根本性轉變——國際領先廠商紛紛優先配置產能給DDR5與HBM，加上中國大陸同業的同步調整，使得DDR4的市場供給急劇收縮。

然而需求端的情況卻完全相反。企業級固態硬碟、工業電腦及各類儲存裝置仍需搭配DDR4規格，實際市場需求遠超預期，形成典型的「商三特」——商業周期中供給側短缺、需求側維持強勁、結構性失衡三方特徵並存的現象。

華邦電成為直接受惠者，營收創三年新高印證產業景氣反轉

華邦電2025年11月合併營收達86.29億元，相較上月成長近5%，年增幅更達38.7%，創下超過三年的歷史新高。今年前11個月累計營收達796.35億元，年增率5.85%。

這組數據背後的邏輯十分清晰：由於率先擴增資本支出並獲得客戶積極追單，華邦電成為記憶體供給短缺趨勢的直接受惠者。產業庫存週轉情況也證實了這一點——華邦電與旺宏等原廠的庫存週轉天數已從常態的185天明顯下降至140天左右，反映出營收與獲利能力的實質改善。

記憶體報價漲幅驚人，2026年仍有成長空間

從合約價來看，DDR4記憶體從年初每顆僅1元多的低點，到第四季已呈現5至6倍的驚人漲幅。現貨市場上，DDR4的16Gb規格價格甚至飆升至每顆約100美元，遠高於業界參考報價的45.5美元，市場更一度出現DDR4現貨價超越DDR5的罕見「價格倒掛」現象。

外資機構的研究報告認為，這波報價上漲動能可望延續至2026年，報告特別強調不應急於獲利了結。NOR Flash的供應缺口預期將在2026年持續擴大，第一季價格漲幅可能超過20%。展望全年，預估DRAM合約價將持續攀升但增速趨緩，其中DDR5與DDR4的價格預計分別為每顆17元與12元。

雙軸產能擴充計畫啟動，華邦電有望迎來獲利成長高峰

為抓住此波市場機遇，華邦電正推動產能擴充策略。台中廠區將持續提升NOR Flash、NAND Flash以及成熟製程DRAM的產出，高雄新廠的DRAM月產能則規劃從現階段的1.5萬片晶圓提升至2.4萬至2.5萬片，預計2026年首季量產16奈米先進製程產品。CUBE晶圓級堆疊技術平台更預期自2027年起對營收產生實質貢獻。

市場機構預測，2026年全球DDR4記憶體的供需缺口將擴大至10%以上，下游客戶轉用DDR5的速度、以及DDR4與DDR5的價差變化將成為關鍵變數。在人工智慧、工控、車用及網路通訊等應用需求同步增長的驅動下，華邦電有望在2026年邁入獲利成長最顯著的階段。

法人同步加碼，資金面與基本面形成雙重支撐

資金面的表現同樣令人矚目。上週統計顯示，外資、投信與自營商三大法人合計買超華邦電超過5萬張，其中外資單週買超即超過4.2萬張，積極佈局態度十分明確。在產業基本面向好、產品報價看漲、籌碼趨於集中等多重利好支持下，整個記憶體族群的後續營運成長預期備受市場看好。

台灣記憶體業者當前主要受惠於DDR4與DDR5標準型記憶體漲價所帶動的「外溢效應」。由於在HBM及3D堆疊封測技術上還未完備，台灣廠商更能從傳統記憶體漲價中獲得相對集中的利益。整體而言，台灣記憶體類股仍屬典型的景氣循環標的，股價後續表現將緊密跟隨記憶體市場報價走勢與終端需求變化而定。

從技術面觀察，華邦電股價已觸及布林帶上軌並穩站所有短期均線之上，形成明確多頭排列，目前正蓄勢挑戰2025年以來的前高69.1元。在供給短缺與需求旺盛的基本面支撐下，這波上升行情的持續性值得持續追蹤。