三星和SK海力士宣布$590B 韩国芯片扩张计划
三星電子、SK 海力士與韓國政府週一宣布計劃投資約 5900 億美元,建造一座新的晶片綜合園區,其中包括四座晶圓廠,目標是在五年內將韓國動態隨機存取記憶體(DRAM)產能翻倍。這些投資承諾是總統「大躍進三大旗艦計畫」倡議的一部分,旨在提升韓國在半導體、AI 資料中心及機器人領域的能力。這項宣布發布之際,由於雲端公司與科技企業積極投入 AI 基礎設施,對高頻寬記憶體(HBM)晶片的激增需求持續超過供給。 三星與 SK 海力士承諾投入 800 兆韓元建造四座新晶圓廠 三星與 SK 海力士計劃各自建造兩座晶圓廠,總計 800 兆韓元(5,180 億美元),韓國產業通商資源部長週一表示。隨著官方公告發布,兩家公司股價在首爾收復了當日稍早的跌幅。Kospi 指數收盤僅下跌 0.2%,從稍早 3.4% 的跌幅中反彈。 DRAM ETF 在美國盤前交易下跌 1.4% Roundhill Memory ETF(DRAM)延續跌勢,週一盤前交易下跌 1.4%。三星、SK 海力士與美國記憶體巨頭美光(Micron)是 DRAM 的前三大持股。在美國,投資者上週五拋售晶片股並獲利了結,此前主要個股在美光交出
Lucas Bennett ·06-29 09:39
